Wir suchen Bacheloranden, Masteranden, HiWis im Bereich Test von resistiven RAMs (RRAMs).
Mögliche Arbeiten:
- Entwicklung eines Fehlermodells auf Basis von Herstellungsfehlern unter Berücksichtigung der Material- und Strukturabweichungen
- Entwicklung von Testverfahren für RRAMs
Erforderliche Vorkenntnisse:
- Grundlegendes Verständnis von Memristive Devices und Prüftheorie
- Ausgeprägte Kenntnisse in der CMOS-Technologie - Mikroelektronik
- Ausgeprägte Kenntnisse in der Schaltungssimulation (z.B. HSPICE)
Ansprechpartner: Prof. Dr. Leticia Maria Bolzani Poehls
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